??IHW20N120R3參數及替換資料IHW20N120R3參數及替換資料
BEE 時間：2019-04-03 17:43
IHW20N120R3特性
用于軟開關的低正向電壓大功率體二極管
最佳的參數分配
耐用性高，溫度穩定
低電磁干擾
VCESAT正溫度系數，易于并聯切換
符合JESD-022的應用要求
無鉛電鍍；符合RoHS
IHW20N120R3應用
•感應烹飪
•逆變微波爐
•諧振轉換器
•軟開關應用
IHW20N120R3技術參數資料
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 符合
技術: Si
封裝/箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極-射極飽和電壓: 1.48 V
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
在25℃的連續集電極電流: 40 A
Pd-功率耗散: 310 W
最小工作溫度: - 40℃
最大工作溫度: + 175℃
系列: RC
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
集電極連續電流: 40 A
柵極-射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: IHW20N120R3FKSA1 IHW2N12R3XK SP000437702
單位重量: 6.056 g
IHW20N120R3封裝外形
IHW20N120R3替換資料
海飛樂技術20A/1200V IGBT單管完美替換IHW20N120R3，我司IGBT采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優質、高效的可完全替換產品，和國外進口產品相比，我司的該款產品具有貨期短、性價比高等優點。我們期待您的咨詢與合作！
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