??IKW25N120T2參數及替換資料IKW25N120T2參數及替換資料
BEE 時間：2019-04-11 17:52
IKW25N120T2特性
快速軟恢復反并聯發射極控制二極管
高擊穿電壓1200V，提高可靠性
短路耐受時間10μs
最佳的參數分配
耐用性高，溫度穩定
低門電荷
低電磁干擾
VCESAT正溫度系數，易于并聯切換
符合JESD-022的應用要求
無鉛電鍍；符合RoHS
IKW25N120T2應用
•變頻器
•不間斷電源
IKW25N120T2技術參數資料
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 符合
技術: Si
封裝/箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極-射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
在25℃的連續集電極電流: 50 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作溫度范圍: - 40℃~+ 175℃
系列: TRENCHSTOP IGBT
封裝: Tube
高度: 20.95 mm
長度: 15.9 mm
寬度: 5.3 mm
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960
單位重量: 38 g
IKW25N120T2封裝外形
IKW25N120T2替換資料
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