FF450R17ME3_專用IGBT驅動板
作者:海飛樂技術 時間:2017-04-19 11:09
FF450R17ME3大功率IGBT模塊,電壓為1700V,電流為450A,這個新的IGBT模塊滿足了市場對具備更高功率和最高可靠性的緊湊式IGBT模塊與日俱增的需求。典型應用包括變頻器、光伏發電系統中的集中式逆變器和CAV車輛的柴油發電機驅動等。這款產品在互連技術和熱阻方面實現了最優模塊設計,具有很高的電流利用率,因而十分高效。
FF450R17ME3規格參數
產品種類: IGBT 模塊
制造商: Infineon
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1700 V
在25 C的連續集電極電流: 605 A
封裝 / 箱體: Econo D
最大工作溫度: + 125 C
商標: Infineon Technologies
高度: 17 mm
長度: 152 mm
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
工廠包裝數量: 10
寬度: 62 mm
FF450R17ME3 IGBT模塊封裝尺寸

FF450R17ME3輸出特性曲線圖

FF450R17ME3開關損耗特性曲線圖

2HF0220-17是一款雙通道即插即用大功率IGBT驅動板,板上集成了IGBT驅動所需的全部器件,包括兩路隔離的DC/DC變換器以及死區電路、短路保護電路等。它的每通道的驅動能力為:2W/±20A/30kHz,產品專為大功率IGBT模塊FF450R17ME3設計。
2HF0220的主要特點:
•帶短路、過流以及欠壓保護
•高電氣隔離,特別可靠和耐用
•開關頻率從 0~30KHZ,占空比:0~100%
•電磁兼容性強,可直接安裝于 EconoDUAL™3 封裝 IGBT 塊上
•內部集成 2 路隔離的 DC/DC 電源
死區和防直通電路
2HF0220-17驅動板內部設有死區電路,死區時間為 2.5uS。當 IN_TOP和 IN_BOTP 兩通道輸入信號的死區時間 DT 小于或等于 2.5uS 時,驅動輸出的死區時間等于 2.5uS,當 IN_TOP 和 IN_BOTP 兩通道輸入信號的死區時間 DT 大于 2.5uS 時,驅動輸出的死區時間等于控制信號的死區時間 DT。2HF0220 -17驅動板內部設有防直通電路,如果 IN_TOP 和 IN_BOTP兩通道輸入信號均為高,則驅動將同時關閉兩路輸出。
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